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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
差异
规格
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
25
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
19
读取速度,GB/s
16.1
19.4
写入速度,GB/s
10.1
15.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3397
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
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Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
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