RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
40
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
18.0
Скорость записи, Гб/сек
8.9
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
3211
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
SK Hynix 8GB36-H9 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link