RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
40
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.8
Скорость записи, Гб/сек
8.9
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
2726
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link