RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
32
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
32
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
15.5
Скорость записи, Гб/сек
6.8
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2968
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link