Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Средняя оценка

Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB

Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 38

Около 21% меньшая задержка

Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB

Причины выбрать
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17 10.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.2 6.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 8500

Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

30 38
Скорость чтения, Гб/сек

10.6 17.0
Скорость записи, Гб/сек

6.8 9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

8500 17000

Other

Описание

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1066 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1479 2504

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB

Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB

Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Kingston 99U5700-032.A00G 16GB

Kingston 99U5700-032.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB

Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB

Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB

Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB

модули RAM

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB

модули RAM