RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.8
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
29
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
22.8
Скорость записи, Гб/сек
6.8
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3792
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link