RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.3
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
19.3
Скорость записи, Гб/сек
6.8
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3495
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link