Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB

Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 35

Около 14% меньшая задержка

Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17 10.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.4 6.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 8500

Около 2.26 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

30 35
Скорость чтения, Гб/сек

10.6 17.0
Скорость записи, Гб/сек

6.8 12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

8500 19200

Other

Описание

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1066 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1479 2982

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB

Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB

Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB

модули RAM

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB

Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB

G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB

Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB

Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB

Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB

модули RAM

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB

модули RAM