RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
30
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
23
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
16.3
Скорость записи, Гб/сек
6.8
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2809
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link