RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
30
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
23
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
17.8
Скорость записи, Гб/сек
6.8
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3127
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
G Skill Intl F5-5600U3636C16G 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link