RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
35
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
35
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
14.5
Скорость записи, Гб/сек
6.8
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2664
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link