RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
17.6
Скорость записи, Гб/сек
6.8
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3236
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link