RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
30
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
17.2
Скорость записи, Гб/сек
6.8
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3208
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link