RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
30
Около -15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.9
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
26
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
19.1
Скорость записи, Гб/сек
6.8
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3876
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 99U5316-033.A00LF 2GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link