RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
17.4
Скорость записи, Гб/сек
6.8
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3563
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link