RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
31
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.1
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
31
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
19.1
Скорость записи, Гб/сек
6.8
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3091
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link