RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
31
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.8
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
31
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
11.8
Скорость записи, Гб/сек
6.8
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2354
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Elpida EBJ17RG4EAFD-DJ-F 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link