RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
41
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.6
8.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.7
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
41
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
8.9
Скорость записи, Гб/сек
6.8
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2126
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link