RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
29
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
13.5
Скорость записи, Гб/сек
6.8
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2088
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link