RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
30
Около -36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
22
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
18.2
Скорость записи, Гб/сек
6.8
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3515
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Lenovo 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link