RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
36
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.6
9.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.5
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
36
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
9.3
Скорость записи, Гб/сек
6.8
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2081
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link