RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
38
Около 21% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
38
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
14.2
Скорость записи, Гб/сек
6.8
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2148
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link