RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
30
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
25
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
14.5
Скорость записи, Гб/сек
6.8
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2620
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M391B2873EH1-CF8 1GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Nanya Technology HYS72T512420EFD-3s 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link