RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
33
Около 9% меньшая задержка
Причины выбрать
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
21.1
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
33
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
21.1
Скорость записи, Гб/сек
6.8
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3437
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link