RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
58
Около 48% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
58
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
18.5
Скорость записи, Гб/сек
6.8
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
1998
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link