RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
30
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
18
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
20.4
Скорость записи, Гб/сек
6.8
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3529
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link