RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
19.1
Скорость записи, Гб/сек
6.8
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3562
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML32GX3M4A1600C10 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link