Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB против Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Средняя оценка

Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB

Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB

Причины выбрать
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 41

Около -37% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.8 11.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.2 8.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 30
Скорость чтения, Гб/сек

11.1 16.8
Скорость записи, Гб/сек

8.2 13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 8 13 18 23 29 34 35 36 37 38
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1348 2996

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB

Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB

Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB

UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB

Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB

Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 9905713-028.A00G 8GB

Kingston 9905713-028.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

Kingston 9905713-001.A00G 4GB

Kingston 9905713-001.A00G 4GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB

Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB

Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB

Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB

модули RAM

Kingston KP223C-ELD 2GB

Kingston KP223C-ELD 2GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB

модули RAM