RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Сравнить
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
38
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.4
7.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
3.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
26
Скорость чтения, Гб/сек
7.2
14.4
Скорость записи, Гб/сек
3.0
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
915
2497
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link