RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Сравнить
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB против Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
72
Около 47% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
7.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
3.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
72
Скорость чтения, Гб/сек
7.2
15.6
Скорость записи, Гб/сек
3.0
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
915
1728
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link