RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Сравнить
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB против Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
38
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
7.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
3.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
31
Скорость чтения, Гб/сек
7.2
16.0
Скорость записи, Гб/сек
3.0
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
915
2999
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link