RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Сравнить
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB против G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
14
38
Около -171% меньшая задержка
Выше скорость чтения
25.1
7.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.3
3.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
14
Скорость чтения, Гб/сек
7.2
25.1
Скорость записи, Гб/сек
3.0
19.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
915
4182
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link