RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сравнить
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
38
Около -36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
7.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
3.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
28
Скорость чтения, Гб/сек
7.2
14.3
Скорость записи, Гб/сек
3.0
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
915
2481
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link