RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB против Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
38
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
7.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
3.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
29
Скорость чтения, Гб/сек
7.2
15.4
Скорость записи, Гб/сек
3.0
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
915
2854
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-2133C10-4GXM 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link