RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Сравнить
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
38
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
7.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
3.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
26
Скорость чтения, Гб/сек
7.2
17.5
Скорость записи, Гб/сек
3.0
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
915
2974
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link