RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB против SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
38
Около -6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
7.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
3.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
36
Скорость чтения, Гб/сек
7.2
13.4
Скорость записи, Гб/сек
3.0
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
915
2466
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link