RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Сравнить
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB против Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Средняя оценка
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
38
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
7.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
3.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
26
Скорость чтения, Гб/сек
7.2
14.3
Скорость записи, Гб/сек
3.0
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
915
2744
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link