RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Сравнить
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
65
Около 58% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
65
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
17.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1763
1921
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link