RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Сравнить
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB против G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
36
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
36
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
15.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1763
2935
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
INTENSO 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link