RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Сравнить
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB против Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Средняя оценка
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
27
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
19
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
20.0
Скорость записи, Гб/сек
7.8
17.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1763
3499
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link