Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB

Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB против Kingston KVR800D2S6/4G 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB

Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB

Kingston KVR800D2S6/4G 4GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    5.4 left arrow 4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    3.6 left arrow 1,923.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    12800 left arrow 6400
    Около 2% выше полоса пропускания
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    50 left arrow 67
    Около -34% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    67 left arrow 50
  • Скорость чтения, Гб/сек
    5.4 left arrow 4,433.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    3.6 left arrow 1,923.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 6400
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    644 left arrow 761
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения