RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Сравнить
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB против Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
35
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
35
Скорость чтения, Гб/сек
15.9
15.5
Скорость записи, Гб/сек
13.2
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2927
2848
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link