RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Сравнить
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
-->
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
32
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
14.3
12.7
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
32
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.7
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3075
3625
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link