RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Сравнить
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
-->
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
30
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
10.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
30
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
10.3
Скорость записи, Гб/сек
12.7
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3075
1651
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link