SK Hynix DDR2 800 2G 2GB против Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Средняя оценка

Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB

Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Причины выбрать
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 15.7

Среднее значение в тестах

Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB

Причины выбрать
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 77

Около -166% меньшая задержка
Выше скорость записи

12.0 1,884.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

77 29
Скорость чтения, Гб/сек

2,936.9 15.7
Скорость записи, Гб/сек

1,884.0 12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

564 2553

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

InnoDisk Corporation 16GB

InnoDisk Corporation 16GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB

Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB

Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB

Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB

Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston 9905678-043.A00G 8GB

Kingston 9905678-043.A00G 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB

модули RAM

Kingston HP536727-H41-ELD 4GB

Kingston HP536727-H41-ELD 4GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB

Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB

модули RAM