RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
29
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
18.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3110
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology C 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link