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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
29
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
22
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3110
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Kingston 9905624-051.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
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