RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB против Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Причины выбрать
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    2 left arrow 17.5
    Среднее значение в тестах
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    39 left arrow 77
    Около -97% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    10.6 left arrow 1,884.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 6400
    Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    77 left arrow 39
  • Скорость чтения, Гб/сек
    2,936.9 left arrow 17.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,884.0 left arrow 10.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    564 left arrow 2600

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Сравнения RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
модули RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
модули RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
модули RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
модули RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
модули RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
модули RAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
модули RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
модули RAM
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
модули RAM