RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Сравнить
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
10
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
77
Около -120% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.0
1,884.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
35
Скорость чтения, Гб/сек
2,936.9
10.0
Скорость записи, Гб/сек
1,884.0
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
564
2068
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link