RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Сравнить
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
77
Около -120% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.4
1,884.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
35
Скорость чтения, Гб/сек
2,936.9
15.0
Скорость записи, Гб/сек
1,884.0
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
564
2672
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link